晶圓矽孔量測系統(SANTSV/A666-9)

技術規格 Specifications

技術: 單點光譜反射

Technology: Spectral reflection method

量測點大小 : Φ 40 μm (依物鏡倍率)

Spot size : Φ 40 μm (depend on objective)

深寬比 : ³15:1 (@ ϕ5 mm)  Aspect Ratio : ³ 15:1 (@ϕ 5 mm)

孔深重複性 : 0.2 mm

Depth Repeatability : 0.2 mm

晶圓尺寸 : 12吋 (R-Θ stage)  Wafer size : 12 inch(R-Θ stage)

Vacuum Chuck and color preview camera

可測參數: 孔深, 膜厚, 晶圓厚度, 孔徑尺寸  Measurement parameters: via depth,

dielectric film thickness,

wafer thickness, top critical dimension